IMW120R030M1HXKSA1

Billedet er til reference, kontakt os venligst for at få det rigtige billede

Producentdel	IMW120R030M1HXKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Beskrivelse	SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Kategori	diskrete halvlederprodukter
Familie	transistorer - fets, mosfets - single
Livscyklus:	New from this manufacturer.
Levering:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betaling	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	IMW120R030M1HXKSA1 PDF

Tilgængelighed

På lager	668
Pris per stk	$ 22.83000

IMW120R030M1HXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IMW120R030M1HXKSA1 specifikationer

Type	Beskrivelse
serie:	CoolSiC™
pakke:	Tube
del status:	Active
fet type:	N-Channel
teknologi:	SiCFET (Silicon Carbide)
dræn til kildespænding (vdss):	1.2 kV
strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c:	56A (Tc)
drevspænding (max rds tændt, min rds tændt):	15V, 18V
rds på (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 10mA
gate charge (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 18 V
vgs (max):	+23V, -7V
input kapacitans (ciss) (max) @ vds:	2.12 nF @ 800 V
fet funktion:	-
effekttab (maks.):	227W (Tc)
Driftstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
monteringstype:	Through Hole
leverandørens enhedspakke:	PG-TO247-3-41
pakke/etui:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.