IRFB4110PBF

Billedet er til reference, kontakt os venligst for at få det rigtige billede

Producentdel	IRFB4110PBF
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Kategori	diskrete halvlederprodukter
Familie	transistorer - fets, mosfets - single
Livscyklus:	New from this manufacturer.
Levering:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Betaling	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datablad	IRFB4110PBF PDF

Tilgængelighed

På lager	2.227
Pris per stk	$ 3.11000

IRFB4110PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRFB4110PBF specifikationer

Type	Beskrivelse
serie:	HEXFET®
pakke:	Tube
del status:	Active
fet type:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
dræn til kildespænding (vdss):	100 V
strøm - kontinuerligt dræn (id) @ 25°c:	120A (Tc)
drevspænding (max rds tændt, min rds tændt):	10V
rds på (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
gate charge (qg) (max) @ vgs:	210 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
input kapacitans (ciss) (max) @ vds:	9620 pF @ 50 V
fet funktion:	-
effekttab (maks.):	370W (Tc)
Driftstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
monteringstype:	Through Hole
leverandørens enhedspakke:	TO-220AB
pakke/etui:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.